2026 功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇
學生論文海報競賽 Poster Competition
活動簡介
為推廣國內學術研究單位投入功率半導體材料及高功率模組電力電子應用相關研究， 高功率元件應用研發聯盟將於「2026 功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇」 同步舉辦學生論文海報競賽，期能促成我國學研各界交流研討及合作研究， 歡迎全國大專校院學生踴躍投稿參加。
活動資訊
主辦單位
高功率元件應用研發聯盟
協辦單位
國家中山科學研究院
台灣經濟研究院
活動日期
2026年10月15日（四）
活動地點
張榮發基金會國際會議中心 801廳
（臺北市中正區中山南路11號8樓）
參賽資格
全國大專院校大學生及碩、博士生
（含115學年度畢業生）
競賽主題
一、功率電子元件技術
- 高電子遷移率材料
- 功率電子元件製造技術
- 元件結構設計與模擬
- 元件可靠性分析與壽命預估
二、功率電子封裝與功率模組應用技術
- 功率電子封裝材料
- 模組構裝散熱分析與量測
- 功率模組設計技術
- 電源轉換器應用研發
三、新穎功率半導體材料與元件分析技術
- 材料影像分析技術（SEM、AFM、TEM等）
- 材料晶體結構分析技術（TEM、XRD）
- 材料成分分析技術（EDS、AES、XPS、SIMS、FTIR等）
投稿方式
- 先完成線上表單登記。
- 論文以中、英文撰寫均可。
- A4格式、Single Space、Two Column、字體大小10。
- 圖文合計以4頁為限。
- 論文請轉存PDF檔寄送至：d35005@tier.org.tw
- 信件主旨格式：2026學生論文海報競賽－學校名稱－聯絡人姓名
海報展示與發表
- 所有投稿論文皆以壁報（Poster）形式發表。
- 中英文解說皆可。
- 海報尺寸將另行通知。
- 投稿者須於指定時間完成海報張貼。
- 海報張貼時間：2026年10月15日（四）09:30前
評分方式
- 論文內容：60%
- 現場答詢：40%
- 若總分相同，以原創性得分高者優先。
獎勵方式
| 獎項 |
名額 |
獎金 |
| 頭等獎 |
1名 |
20,000元 |
| 特優獎 |
2名 |
12,000元 |
| 優等獎 |
3名 |
8,000元 |
| 特別獎 |
4名 |
5,000元 |
