2019功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇

今年由國家中山科學研究院、台灣經濟研究院、拓墣產業研究院主辦之【功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇】將於10/17舉行，本次會議特邀請國內外功率半導體產學機構專家，包括Cree, Inc / Wolfspeed、Efficient Power Conversion Corporation (EPC)、全訊科技股份有限公司、聯鈞光電股份有限公司、聯穎科技股份有限公司及清華大學電機系等進行專題演講，與國內產學研各界分享及交流。希冀藉由此次會議促進產學研各界交流，激盪功率半導體材料及高功率模組應用領域研究發展，加速國內功率電子及應用相關產業研發布局。

在此，誠摯邀請您撥冗參加此盛會，藉此機會與國內外相關產業先進經驗交流，期能促成上中下游研發合作結盟，紮根台灣，跨足國際！

論壇時間Symposium Date：

2019年10月17日上午9:30至下午5:00 (Oct.17th. 2019，9:30am～5:00pm)

活動報名時間Registration Period：

即日起至2019年10月11日下午5:00止(額滿為止) (From now until Oct.11^th .2019 5:00pm, until Full)

線上報名網址Registration Website： https://forms.gle/CKGsW45uv1m7um8LA
論壇地點Symposium Venue：

集思台大會議中心－蘇格拉底廳 (GIS NTU Convention Center, Taipei, Taiwan)

台北市羅斯福路4段85號 (No. 85, Sec. 4, Roosevelt Rd., Da’an Dist., Taipei City 106, Taiwan(R.O.C.))

議程Agenda：

時間		流程內容
上午	09:30-10:00	與會者報到Registration
	10:00-10:05	開幕式Opening
	10:05-10:10	主席、貴賓致詞	國家中山科學研究院
	10:10-10:40	Recent Advances in SiC Device Research at NTHU	國立清華大學電機工程學系黃智方教授
	10:40-11:00	中場休息Break
	11:00-11:30	微波GaN的發展與產品	全訊科技股份有限公司張全生總經理
	11:30-12:00	專家綜合討論時間Q&A
中午	12:00-13:30	午餐時間Lunch
下午	13:30-14:20	GaN FETs Make a Frontal Attack on Silicon Power MOSFETs	Efficient Power Conversion Corporation (EPC) Michael de Rooij VP, Application Engineering
	14:20-14:50	TBD	聯穎科技股份有限公司
	14:50-15:10	中場休息Break
	15:10-16:00	Enabling and expanding broader power markets with Silicon Carbide	Cree, Inc / Wolfspeed Tony Liu Senior FAE Manager
	16:00-16:30	GaN-on-Si HEMT epitaxy and device process technology	聯鈞光電股份有限公司林昆泉總經理
	16:30-17:00	專家綜合討論時間Q&A
	17:00-	賦歸

會議連絡人Contact：

台灣經濟研究院 Taiwan Institute of Economic Research

胡雪琪　Yuki Hu　phone: +886-2-2586-5000 ext. 808　e-mail: d33991@tier.org.tw

黃威菁　Lana Huang　phone: +886-2-2586-5000 ext.875　e-mail: d33581@tier.org.tw

address：10461台北市德惠街16-8號7樓 (7F., No. 16-8, Dehuei St., Jhongshan District, Taipei City 10461, Taiwan)

交通方式Transportation：詳見邀請函